最近一段時間英特爾承受了很多爭議乃至非議，這個即將滿五十周歲的老牌半導(dǎo)體公司似乎要輸給三星、臺積電這些后輩了，要知道臺積電當(dāng)初做代工也是得到了英特爾悉心指導(dǎo)的，沒想到現(xiàn)在被臺積電、三星各種領(lǐng)先，特別是10nm工藝節(jié)點被這兩家甩開。普通人之所以有這樣的認(rèn)識，其實根源在于半導(dǎo)體知識太復(fù)雜，英特爾在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域依然具有極強的實力，他們的10nm工藝晶體管密度要比三星、臺積電的7nm工藝還要好，就是難產(chǎn)了點。

在許多人的認(rèn)知里，三星、臺積電超越英特爾很大程度上是都被XXnm的數(shù)字迷惑了，表面上看7nm比10nm先進(jìn)，10nm比14nm先進(jìn)，但背后代表的半導(dǎo)體技術(shù)太復(fù)雜，早就不是線寬所能代表的了。三星、臺積電在16/14nm FinFET節(jié)點上第一次超越英特爾，嘗到了營銷上的甜頭，所以后面的工藝命名有很多營銷成分，比如16nm優(yōu)化下就成了12nm工藝，14nm優(yōu)化下成了12nm LP工藝，相比之下英特爾只敢叫14nm、14nm+、14nm++等等，要老實很多。

當(dāng)老實人的代價就是會吃虧，即便是在10nm節(jié)點，三星、臺積電后面還會衍生出8nm之類的工藝，讓人看的眼花撩亂，摸不清來龍去脈。對于這個問題，英特爾早前也表示過他們的無奈，也反擊過這種衡量工藝的水平，推出了全新的公式：

在這個公式中，英特爾認(rèn)為衡量半導(dǎo)體工藝的重要指標(biāo)是晶體管密度，上面具體算的過程大家就不要管了，反正是行業(yè)內(nèi)認(rèn)識才會關(guān)注的。

在這樣的形勢下，英特爾對比其他家公司工藝時就有了優(yōu)勢了，去年的制造日會議上，英特爾就對比過其他家公司的工藝情況：

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▲14nm工藝的情況

先說14nm工藝，別看英特爾直到現(xiàn)在都在縫縫補補14nm工藝，但是與其他家對比優(yōu)勢明顯，晶體管密度是20nm工藝的134%，而其他兩家只不過說104%、109%。

▲10nm節(jié)點工藝對比

10nm節(jié)點上，英特爾表示他們的10nm工藝晶體管密度達(dá)到了100MTr/mm2，就是每平方毫米1億個晶體管，是14nm工藝的兩倍多。

那么與其他家的對比呢？Semiwiki日前討論到了三星的10nm、8nm以及7nm工藝情況，其中10nmm工藝的晶體管密度是55.10MTr/mm2，8mm是64.4MTr/mm2，7nm工藝也不過101.23MTr/mm2，原文稱這個晶體管密度比之前計算的英特爾10nm工藝密度要低，比Globalfoundries、臺積電的7nm工藝晶體管密度要略高一些。

換句話說英特爾的10nm工藝晶體管密度就相當(dāng)于三星、臺積電、GF的7nm工藝了，表面上看落后了一代甚至兩代，但是英特爾在技術(shù)指標(biāo)上實際上要比他們領(lǐng)先。

所以這是不怪英特爾郁悶，不是他們不努力，而是對手太狡猾，先聲奪人在工藝命名上奪得優(yōu)勢了。英特爾無力回天，反正那些投資者、分析師們也不去關(guān)注這些技術(shù)細(xì)節(jié)，問的都是你們的10nm為什么難產(chǎn)呢？

為什么難產(chǎn)？英特爾也解答不出來，大概是因為他們懷了一個哪吒吧，出生時間就要比別人多兩年。